Электронный каталог Фундаментальной
библиотеки ФГБОУ ВО МГППУ

👓
eng|rus
Фундаментальная библиотека Московского
государственного психолого-педагогического
университета

Адрес: г. Москва, ул. Сретенка, д. 29
Телефон: 8 (495) 607-23-40
Часы работы: пн-пт — 9:00—20:00; сб — 10:00—18:00
bib_logo

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
      • Список дисциплин

    • Помощь

    Личный кабинет :


    Электронный каталог: Хусяиное, Д. И. - Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs: магистерская...

    Хусяиное, Д. И. - Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs: магистерская...

    Нет экз.
    Электронный ресурс
    Автор: Хусяиное, Д. И.
    Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs: магистерская... : студенческая научная работа
    2018 г.
    ISBN отсутствует

    полный текст

    На полку На полку


    Электронный ресурс

    Хусяиное, Д. И.
    Спектроскопия динамики фотовозбужденных носителей заряда в твердых растворах InGaAs: магистерская диссертация : студенческая научная работа. – Москва, 2018. – 83 с. : ил., табл., схем. – URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=491657. – Режим доступа: электронная библиотечная система «Университетская библиотека ONLINE», требуется авторизация . – Библиогр. в кн . – На рус. яз.

    Диссертация содержит 82 страницы, 29 рисунков, 1 таблицу, 70 источников. Актуальность предлагаемого исследования обусловлена быстро развивающейся сферой терагерцевой спектроскопии и терагерцевой визуализации. В качестве генераторов и детекторов терагерцевого излучения используются фотопроводящие терагерцевые антенны. В данный момент актуальным направлением исследования является поиск новых материалов или модификация традиционных полупроводников для использования в качестве функционального слоя для терагерцевых антенн. Одним из традиционных материалов является InGaAs, его преимущество состоит в том, что он хорошо подходит для оптического возбуждения в ближнем инфракрасном диапазоне, но также он имеет недостатки. Одним из недостатков являет низкое удельное сопротивление, что снижает напряжение пробоя и увеличивает шум. Для решения этой проблемы создают сверхрешетку InGaAs/InAlAs, что позволяет увеличить удельное сопротивление на 4 порядка. Однако исследование динамики носителей заряда и генерации ТГц излучения в данных сверхрешетках в зависимости от энергии фотонов лазерных импульсов возбуждения до сих пор не проводилось.


    © Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.159