Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Легостаев, Н.С. - Твердотельная электроника
Легостаев, Н.С. - Твердотельная электроника
Нет экз.
Электронный ресурс
Автор: Легостаев, Н.С.
Твердотельная электроника
Издательство: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012 г.
ISBN 978-5-4332-0021-0
Автор: Легостаев, Н.С.
Твердотельная электроника
Издательство: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012 г.
ISBN 978-5-4332-0021-0
На полку
Электронный ресурс
Легостаев, Н.С.
Твердотельная электроника / Н.С. Легостаев ; Четвергов К. В. – Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012. – 244 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=208951 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-4332-0021-0.
Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-транзисторов, полевых транзисторов с управляющим переходом, оптоэлектронных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых термоэлектрических и гальваномагнитных приборов.Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».
Легостаев, Н.С.
Твердотельная электроника / Н.С. Легостаев ; Четвергов К. В. – Томск : Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2012. – 244 с. – URL: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=208951 . – На рус. яз. – ISBN 978-5-4332-0021-0.
Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик-полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-транзисторов, полевых транзисторов с управляющим переходом, оптоэлектронных полупроводниковых приборов, а также полупроводниковых термоэлектрических и гальваномагнитных приборов.Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника».